L’arrivée d’une nouvelle génération de MOSFETs, dans sa gamme de produits Hi-Rel : la référence IRHNJ9A7130
La nouvelle référence IRHNJ9A7130 : un MOSFET durci aux radiations, basé sur la technologie N-channel R9.
International Rectifer (groupe Infineon Technologies AG), spécialiste de solutions HiRel (High-Reliability / Haute-Fiablité) pour environnements extrêmes, complète sa gamme de MOSFETs durcis en proposant sur le marché la référence IRHNJ9A7130, durci aux radiations.
Les atouts de la référence IRHNJ9A7130 :
La référence IRHNJ9A7130 est un MOSFET durci aux radiations (100 kRads), et développé à partir de la technologie N-channel R9. La technologie N-channel R9 est la dernière technologie offrant une immunité améliorée au SEE (Singe Event Effect) ainsi que des performances LET (Linear Energy Transfer) jusqu’à 90 Mev/(mg/cm²). Ce MOSFET de 100 V, 35 A est particulièrement conçu pour les applications spatiales et propose une durée de vie utile de plus de 15 ans. Les applications typiques pour la référence IRHNJ9A7130 sont des convertisseurs DC-DC de qualité spatiale, des convertisseurs de bus intermédiaires, des contrôleurs de moteur et d’autres configurations de commutation à grande vitesse.
Les caractéristiques de la référence IRHNJ9A7130 :
Les produits de type IRHNJ9A7130 sont caractérisés par une immunité TID (dose totale ionisante) de 100 kRads. Un R DS (on) de 25 mΩ (typique) est inférieur de 33% à la génération précédente. En combinaison avec le courant de drain augmenté (35 A contre 22 A), cela permet aux MOSFET d’augmenter la densité de puissance et de réduire les pertes dans les applications de commutation.
La référence IRHNJ9A7130 est proposée en boitier céramique de type SMD-0.5, hermétique. Les dimensions sont 10,28 mm x 7,64 mm x 3,12 mm.
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